ULN2004AFWG,N,E
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ULN2004AFWG,N,E
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descrizione | IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Tipo transistor | 7 NPN Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore | 16-SOL |
| Serie | - |
| Potenza - Max | 1.25W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | ULN2004AFWG(5ELMCT ULN2004AFWG(5ELMCT-ND ULN2004AFWG(O,NEHZCT ULN2004AFWG(O,NEHZCT-ND ULN2004AFWG(OELMCT ULN2004AFWG(OELMCT-ND ULN2004AFWGNECT |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | - |
| Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 50µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 500mA |
| Numero di parte base | ULN200*A |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.705
- 10 pcs$0.59
- 25 pcs$0.517
- 100 pcs$0.443
- 250 pcs$0.384
- 500 pcs$0.325
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