UNR511EG0L
UNR511EG0L
fabbricante | Panasonic |
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Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Potenza - Max | 150mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | SC-85 |
Altri nomi | UNR511EG0LCT |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 80MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
RFQ |
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