GP2M004A060CG
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GP2M004A060CG
| fabbricante | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 86.2W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| RFQ | |
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