SQ1912AEEH-T1_GE3
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SQ1912AEEH-T1_GE3
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Potenza - Max | 1.5W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Altri nomi | SQ1912AEEH-T1_GE3-ND SQ1912AEEH-T1_GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.183
- 200 pcs$0.071
- 500 pcs$0.069
- 1000 pcs$0.067
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