AS4C2M32D1-5TIN
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AS4C2M32D1-5TIN
| fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
| Serie | - |
| imballaggio | Tray |
| Contenitore / involucro | - |
| Altri nomi | 1450-1318 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 64Mb (2M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz |
| Tempo di accesso | 700ps |
| RFQ | |
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