TSM900N06CW RPG
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TSM900N06CW RPG
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SOT-223 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms | TSM900N06CW RPGTR TSM900N06CW RPGTR-ND TSM900N06CWRPGTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 28 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 11A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 2500 pcs$0.192
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
Citation requise
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