IPD50N03S2L06ATMA1
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IPD50N03S2L06ATMA1
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3-11 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD50N03S2L06ATMA1CT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$2.782
- 10 pcs$2.406
- 30 pcs$2.171
- 100 pcs$1.929
- 500 pcs$1.821
- 1000 pcs$1.773
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
Citation requise
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