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GP1M003A080CH

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GP1M003A080CH

FabricantGlobal Power Technologies Group
La descriptionMOSFET N-CH 800V 3A DPAK
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 1560-1155-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)

GP1M003A080xH

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