GP1M003A080CH
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GP1M003A080CH
Fabricant | Global Power Technologies Group |
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La description | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 94W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | 1560-1155-2 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 696pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 800V |
Description détaillée | N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
RFQ |
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