GDP06S060D
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GDP06S060D
| Fabricant | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| La description | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Inverse de crête (max) | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 6A |
| Tension - Ventilation | TO-263-2 |
| Séries | Amp+™ |
| État RoHS | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | 243pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | 1560-1015-1 1560-1015-1-ND 1560-1015-5 1560-1015-5-ND |
| Température d'utilisation - Jonction | 0ns |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | GDP06S060D |
| Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 6A Surface Mount TO-263-2 |
| Configuration diode | 100µA @ 600V |
| La description | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 6A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V |
| Capacité à Vr, F | -55°C ~ 135°C |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 800 pcs$1.175
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