MSRTA600100(A)
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MSRTA600100(A)
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| La description | DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.2V @ 600A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 1000V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 3-SMD Module |
| Autres noms | MSRTA600100(A)GN MSRTA600100A |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V 600A (DC) Chassis Mount 3-SMD Module |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 600V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600A (DC) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 25 pcs$127.128
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