SI9912DY-T1-E3
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SI9912DY-T1-E3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC |
| Séries | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 30ns, 20ns |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs | 2 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tension logique - VIL, VIH | - |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) | 30V |
| Type de porte | N-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée | Half-Bridge |
| Description détaillée | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier) | 1A, 1A |
| courant de charge | Synchronous |
| Numéro de pièce de base | SI9912 |
| RFQ | |
Citation requise
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