RN1103ACT(TPL3)
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RN1103ACT(TPL3)
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descripción | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo | CST3 |
| Serie | - |
| Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Potencia - Max | 100mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-101, SOT-883 |
| Otros nombres | RN1103ACT(TPL3)TR |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 80mA |
| RFQ | |
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