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TSM6N50CH C5G

TSM6N50CH C5G
TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM6N50CH C5G

FabricanteTSC (Taiwan Semiconductor)
DescripciónMOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-251 (IPAK)
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo) 90W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres TSM6N50CH C5G-ND
TSM6N50CHC5G
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V
Descripción detallada N-Channel 500V 5.6A (Ta) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta)

TSM6N50

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