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F1T1G R0G

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F1T1G R0G

FabricanteTSC (Taiwan Semiconductor)
DescripciónDIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.3V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 50V
Paquete del dispositivo TS-1
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 150ns
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta T-18, Axial
Otros nombres F1T1G R0G-ND
F1T1GR0G
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 50V 1A Through Hole TS-1
Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) 1A
Capacitancia Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz

F1T1G - F1T7G

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:318684
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