STP11N65M5
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STP11N65M5
| Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N CH 650V 9A TO-220 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ V |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 480 mOhm @ 4.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 85W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | 497-13170 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 644pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$1.114
- 10 pcs$0.945
- 50 pcs$0.852
- 100 pcs$0.747
- 500 pcs$0.701
- 1000 pcs$0.679
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