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QH8MA3TCR

QH8MA3TCR
LAPIS Semiconductor

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QH8MA3TCR

FabricanteLAPIS Semiconductor
DescripciónMOSFET N/P-CH 30V TSMT8
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo TSMT8
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 29 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max 1.5W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead
Otros nombres QH8MA3TCRTR
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7.2nC @ 10V
Tipo FET N and P-Channel
Característica de FET Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 5.5A

QH8MA3

TSMT8 TR Taping Spec

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:718
  • 1 pcs$0.96
  • 10 pcs$0.869
  • 30 pcs$0.82
  • 100 pcs$0.762
  • 500 pcs$0.738
  • 1000 pcs$0.727

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