IRF8313TRPBF
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IRF8313TRPBF
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.35V @ 25µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | IRF8313TRPBFTR SP001577640 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A |
| Número de pieza base | IRF8313PBF |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 5 pcs$0.313
- 50 pcs$0.251
- 150 pcs$0.225
- 500 pcs$0.192
- 3000 pcs$0.177
- 6000 pcs$0.169
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