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IRF6798MTRPBF

IRF6798MTRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6798MTRPBF

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescripciónMOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 2.35V @ 150µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo DIRECTFET™ MX
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 1.3 mOhm @ 37A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric MX
Otros nombres SP001529350
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6560pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 25V
Descripción detallada N-Channel 25V 37A (Ta), 197A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc)

IRF6798M(TR)PbF

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