IXTM15N60
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IXTM15N60
| Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|
| Descripción | POWER MOSFET TO-3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | - |
| Tecnología | - |
| Paquete del dispositivo | - |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - |
| La disipación de energía (máximo) | - |
| Paquete / Cubierta | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | - |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo FET | - |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Descripción detallada | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| RFQ | |
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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Introducción de IXTM15N60
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