GB20SLT12-247D
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GB20SLT12-247D
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8V @ 10A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V |
| Paquete del dispositivo | TO-247 |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Otros nombres | 1242-1316 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25A Through Hole TO-247-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 50µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 25A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$18.253
- 10 pcs$16.594
- 30 pcs$15.35
- 120 pcs$14.105
- 270 pcs$12.861
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Introducción de GB20SLT12-247D
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