FDMJ1032C
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FDMJ1032C
| Fabricante | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Voltaje - Prueba | 270pF @ 10V |
| Tensión - Desglose | SC-75, MicroFET |
| VGS (th) (Max) @Id | 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Serie | PowerTrench® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.2A, 2.5A |
| Potencia - Max | 800mW |
| Polarización | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Otros nombres | FDMJ1032CTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | FDMJ1032C |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3nC @ 4.5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.5V @ 250µA |
| Característica de FET | N and P-Channel |
| Descripción ampliada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | Logic Level Gate |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
| RFQ | |
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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