SI8238BD-D-IS3R
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SI8238BD-D-IS3R
| Fabricante | Energy Micro (Silicon Labs) |
|---|---|
| Descripción | DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM |
| Categoría | Aisladores |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Suministro de voltaje | 6.5 V ~ 24 V |
| Voltaje - Aislamiento | 5000Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico) | - |
| Tecnología | Capacitive Coupling |
| Paquete del dispositivo | 14-SOIC |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tiempo de subida / bajada (típico) | 12ns, 12ns |
| Ancho de pulso Distorsión (máx.) | 5.6ns |
| Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 60ns |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
| número de canales | 2 |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 14-SOIC |
| Corriente - Salida Pico | 4A |
| Actual - salida alta, bajo | 2A, 4A |
| Inmunidad transitoria en modo común (Min) | 45kV/µs |
| aprobaciones | CQC, CSA, UR, VDE |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1250 pcs$3.251
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Introducción de SI8238BD-D-IS3R
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