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AOB27S60L

AOB27S60L
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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AOB27S60L

FabricanteAlpha and Omega Semiconductor, Inc.
DescripciónMOSFET N-CH 600V 27A TO263
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-263 (D²Pak)
Serie aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 160 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 357W (Tc)
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres 785-1248-6
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1294pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 26nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 27A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)

AOT/AOB/AOTF27S60

TO263 (D2PAK) Pkg Drawing

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:3690
  • 1 pcs$4.531
  • 10 pcs$4.046
  • 100 pcs$3.318

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