VEC2616-TL-W
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VEC2616-TL-W
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.6V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | SOT-28FL/VEC8 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potencia - Max | 1W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres | VEC2616-TL-W-ND VEC2616-TL-WOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 9 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 505pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2.5A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.718
- 200 pcs$0.278
- 500 pcs$0.269
- 1000 pcs$0.264
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Introducción de VEC2616-TL-W
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