NVD3055L170T4G-VF01
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NVD3055L170T4G-VF01
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 170 mOhm @ 4.5A, 5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | NVD3055L170T4G NVD3055L170T4G-ND NVD3055L170T4G-VF01TR NVD3055L170T4GOSTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 5 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.637
- 10 pcs$0.528
- 30 pcs$0.472
- 100 pcs$0.417
- 500 pcs$0.384
- 1000 pcs$0.367
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Introducción de NVD3055L170T4G-VF01
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