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NSVBC143TPDXV6T1G

NSVBC143TPDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVBC143TPDXV6T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SOT-563
Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potencia - Max 500mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

MUN5316DW1, NSBC143TPDXV6

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:63702
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