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HGTG20N60B3

HGTG20N60B3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGTG20N60B3

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónIGBT 600V 40A 165W TO247
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Condición de prueba 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C -
Cambio de Energía 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Paquete del dispositivo TO-247
Serie -
Potencia - Max 165W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 80nC
Descripción detallada IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 160A
Corriente - colector (Ic) (Max) 40A
Número de pieza base HGTG20N60

HGTG20N60B3

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:595
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