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FDME1034CZT

FDME1034CZT
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDME1034CZT

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Paquete del dispositivo 6-MicroFET (1.6x1.6)
Serie PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Potencia - Max 600mW
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta 6-UFDFN Exposed Pad
Otros nombres FDME1034CZTFSCT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Tipo FET N and P-Channel
Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción detallada Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A, 2.6A

FDME1034CZT

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:16135
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