FDMC8200
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FDMC8200
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-Power33 (3x3) |
| Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Potencia - Max | 700mW, 900mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres | FDMC8200TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 39 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 12A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.838
- 10 pcs$0.684
- 30 pcs$0.607
- 100 pcs$0.531
- 500 pcs$0.485
- 1000 pcs$0.461
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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