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TPD3215M

TPD3215M
Transphorm

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TPD3215M

HerstellerTransphorm
BeschreibungCASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id -
Supplier Device-Gehäuse Module
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Leistung - max 470W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Module
Andere Namen TPH3215M
TPH3215M-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)

TPD3215M

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:74
  • 1 pcs$245.795
  • 10 pcs$233.932
  • 25 pcs$225.456

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Einführung von TPD3215M

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