TPD3215M
TPD3215M
Hersteller | Transphorm |
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Beschreibung | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device-Gehäuse | Module |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
Leistung - max | 470W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Andere Namen | TPH3215M TPH3215M-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$245.795
- 10 pcs$233.932
- 25 pcs$225.456
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von TPD3215M
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