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CVJ10F30,LF

CVJ10F30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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CVJ10F30,LF

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
BeschreibungX34 SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIE
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 570mV @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30V
Supplier Device-Gehäuse UFV
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Andere Namen CVJ10F30LFCT
Betriebstemperatur - Anschluss 125°C (Max)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Schottky
Diodenkonfiguration 2 Independent
detaillierte Beschreibung Diode Array 2 Independent Schottky 30V 1A Surface Mount 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50µA @ 30V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 1A

CVJ10F30

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:167147
  • 1 pcs$0.529
  • 10 pcs$0.375
  • 100 pcs$0.246
  • 500 pcs$0.145
  • 1000 pcs$0.112

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Einführung von CVJ10F30,LF

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