STFI11N65M2
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STFI11N65M2
| Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAKFP (TO-281) |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Andere Namen | 497-15038-5 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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