XN0421000L
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XN0421000L
| Hersteller | Panasonic |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | MINI6-G1 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 |
| Andere Namen | XN0421000LTR XN4210-(TX) XN4210TR XN4210TR-ND |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 160 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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