JANSR2N3440
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JANSR2N3440
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | RH POWER BJT |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 250V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-39 |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/368 |
| RoHS-Status | RoHS non-compliant |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
| Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A Through Hole TO-39 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 20mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 50 pcs$229.399
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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