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APTM50AM25FTG

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APTM50AM25FTG

HerstellerMicrosemi
BeschreibungMOSFET 2N-CH 500V 149A SP4
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Supplier Device-Gehäuse SP4
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 74.5A, 10V
Leistung - max 1250W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP4
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 29600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1200nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 149A 1250W Chassis Mount SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 149A

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