APTDC40H1201G
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APTDC40H1201G
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Spitzensperr- (max) | 1.2kV |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 40A |
| Technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Andere Namen | APTDC40H1201GMI APTDC40H1201GMI-ND |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Single Phase |
| detaillierte Beschreibung | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SP1 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 800µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io) | 40A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 100 pcs$198.795
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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