IXYX100N65B3D1
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IXYX100N65B3D1
| Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT 650V 188A 1150W PLUS247 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 70A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 3 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 29ns/150ns |
| Schaltenergie | 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | PLUS247™-3 |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 156ns |
| Leistung - max | 830W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 168nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247™-3 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 460A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 225A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 30 pcs$17.491
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Einführung von IXYX100N65B3D1
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