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IXGP12N100

IXGP12N100
IXYS Corporation

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IXGP12N100

HerstellerIXYS Corporation
BeschreibungIGBT 1000V 24A 100W TO220AB
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1000V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 12A
Testbedingung 800V, 12A, 120 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 100ns/850ns
Schaltenergie 2.5mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie -
Leistung - max 100W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ -
Gate-Ladung 65nC
detaillierte Beschreibung IGBT 1000V 24A 100W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 48A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 24A
Basisteilenummer IXG*12N100

IXG(A,P)12N100(A)

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:7291
  • 50 pcs$3.392

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Einführung von IXGP12N100

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