IXFX38N80Q2
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IXFX38N80Q2
| Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PLUS247™-3 |
| Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 735W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8340pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 38A (Tc) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 30 pcs$31.194
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von IXFX38N80Q2
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