IS42S16160D-7BI-TR
IS42S16160D-7BI-TR
Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA |
Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 54-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 54-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x13) |
Uhrfrequenz | 143MHz |
Zugriffszeit | 5.4ns |
RFQ |
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Einführung von IS42S16160D-7BI-TR
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