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VS-GB50TP120N

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VS-GB50TP120N

HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungIGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device-Gehäuse INT-A-PAK
Serie -
Leistung - max 446W
Verpackung / Gehäuse INT-A-PAK (3 + 4)
Andere Namen VSGB50TP120N
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
NTC-Thermistor No
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 37 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 4.29nF @ 25V
Eingang Standard
IGBT-Typ -
detaillierte Beschreibung IGBT Module Half Bridge 1200V 100A 446W Chassis Mount INT-A-PAK
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100A
Konfiguration Half Bridge

VS-GB50TP120N

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:367
  • 24 pcs$84.872

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