SE10FG-M3/I
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SE10FG-M3/I
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 780ns |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 47 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-219AB (SMF) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 400V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 30000 pcs$0.084
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von SE10FG-M3/I
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