NTMFS4C35NT1G
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NTMFS4C35NT1G
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 780mW (Ta), 33W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | NTMFS4C35NT1G-ND NTMFS4C35NT1GOSTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12.4A (Ta) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.495
- 200 pcs$0.191
- 500 pcs$0.185
- 1500 pcs$0.182
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von NTMFS4C35NT1G
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