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NGB8206NG

NGB8206NG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NGB8206NG

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungIGBT 390V 20A 150W D2PAK
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 390V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A
Testbedingung 300V, 9A, 1 kOhm, 5V
Td (ein / aus) bei 25 ° C -/5µs
Schaltenergie -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK
Serie -
Leistung - max 150W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Logic
IGBT-Typ -
detaillierte Beschreibung IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
Strom - Collector Pulsed (Icm) 50A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20A
Basisteilenummer NGB8206

NGB8206N_AN

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Einführung von NGB8206NG

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