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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NP0G1AE00A

NP0G1AE00A

NP0G1AE00A
Panasonic

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NP0G1AE00A

FabricantePanasonic
DescriçãoTRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SSSMini6-F1
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Power - Max 125mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-963
Outros nomes NP0G1AE00ATR
NPOG1AE00A
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 80MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 80mA 80MHz 125mW Surface Mount SSSMini6-F1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 80mA
Número da peça base NP0G1AE

NP0G1AE Series

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