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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > BCR142B6327HTLA1

BCR142B6327HTLA1

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BCR142B6327HTLA1

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescriçãoTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-23-3
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Power - Max 200mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes BCR 142 B6327
BCR 142 B6327-ND
BCR142B6327HTLA1TR-NDTR
BCR142B6327HTSA1
BCR142B6327XT
SP000010774
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 150MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base BCR142

BCR142

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