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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > MMUN2212LT1G

MMUN2212LT1G

MMUN2212LT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2212LT1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoTRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Power - Max 246mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes MMUN2212LT1GOS
MMUN2212LT1GOS-ND
MMUN2212LT1GOSTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base MMUN22**L

MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:47175
  • 20 pcs$0.031
  • 200 pcs$0.025
  • 600 pcs$0.022
  • 3000 pcs$0.019
  • 9000 pcs$0.017
  • 21000 pcs$0.016

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