PDTA123ES,126
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PDTA123ES,126
제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
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기술 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 150mV @ 500µA, 10mA |
트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased |
제조업체 장치 패키지 | TO-92-3 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 2.2 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 2.2 kOhms |
전력 - 최대 | 500mW |
포장 | Tape & Box (TB) |
패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
다른 이름들 | 934057559126 PDTA123ES AMO PDTA123ES AMO-ND |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 30 @ 20mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 1µA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | PDTA123 |
RFQ |
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