AOW10T60
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AOW10T60
| 제조사 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO262 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-262 |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 700 mOhm @ 5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 208W (Tc) |
| 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1346pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
| 상세 설명 | N-Channel 600V 10A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) |
| RFQ | |
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