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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル > JAN2N1613

JAN2N1613

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JAN2N1613 is warrantied and traceable.

JAN2N1613

メーカーMicrosemi
説明TRANS NPN 30V 0.5A
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態リード/ RoHS非対応
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 30V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 1.5V @ 15mA, 150mA
トランジスタ型式 NPN
サプライヤデバイスパッケージ TO-39 (TO-205AD)
シリーズ Military, MIL-PRF-19500/181
電力 - 最大 800mW
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
他の名前 1086-16077
1086-16077-MIL
運転温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
周波数 - トランジション -
詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 40 @ 150mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 10µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 500mA

2N718A,2N1613(L)

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JAN2N1613関連の発表

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